انتقل إلى المحتوى
مرر فوق الصورة للتكبير
انقر على الصورة للتكبير
-
السعة: 2 تيرابايت
-
الواجهة: PCIe Gen 5.0 x2، متوافقة مع PCIe Gen 4.0 x4 وGen 3.0 x4
-
عامل الشكل: M.2 2280
-
سرعة القراءة المتسلسلة: تصل إلى 7250 ميجابايت/ثانية
-
سرعة الكتابة المتسلسلة: تصل إلى 6300 ميجابايت/ثانية
-
سرعة القراءة العشوائية (4K، QD32): ما يصل إلى 1,000,000 IOPS
-
سرعة الكتابة العشوائية (4K، QD32): ما يصل إلى 1,350,000 IOPS
-
فلاش NAND: Samsung V-NAND TLC
-
وحدة التحكم: وحدة تحكم داخلية من سامسونج
-
DRAM: تصميم بدون DRAM مع تقنية Host Memory Buffer (HMB)
-
القدرة على التحمل: 1200 TBW
-
استهلاك الطاقة: القراءة: 4.6 واط، الكتابة: 4.2 واط
-
سمات:
- تقنية TurboWrite 2.0 الذكية لتحسين أداء الملفات الكبيرة
- وحدة تحكم مطلية بالنيكل لتحسين التحكم الحراري
- تم تحسين كفاءة الطاقة بنسبة 73% مقارنة بالجيل السابق
- برنامج Samsung Magician لإدارة محركات الأقراص وتحديثات البرامج الثابتة
-
الضمان: ضمان محدود لمدة 5 سنوات
مرر فوق الصورة للتكبير
انقر على الصورة للتكبير